三星電子力爭赶超台積電 全球首發量產3奈米晶片

沈陽海哥

三星電子力爭赶超台積電  　全球首發量產3奈米晶片





韓國三星電子（Samsung Electronics）週四（6月30日）宣布，旗下華城工廠 已利用
3奈米（nanometer , nm）全環繞柵極（Gate-All-Around , GAA）製程工藝節點開始
量產首批晶片，成為全球首家量產3奈米（nm）晶片的半導體晶圓代工廠。

據介紹，與前幾代使用 鰭式場效應電晶體（FinFET）的晶片不同，第一代3奈米工藝
採用GAA電晶體技術，大幅提升了效能。與三星5奈米工藝相比，第一代3奈米工藝
可使功耗降低45%，性能提升23%，晶片面積減少16%。

三星電子（Samsung Electronics）表示，將於明年投入的第2代3奈米工藝能使功耗
降低50%，性能提升30%，晶片面積減少35%。

三星電子計劃 將3奈米（nm）製程工藝優先應用於高性能計算（HPC）晶片，
再擴大至移動系統晶片（System on Chip , SoC）等。

此外，三星電子（Samsung Electronics）還計劃從2025年開始生產基於GAA 的2奈米晶片，
力爭在先進晶片製造領域赶超 台積電（TSMC）。

據台灣調研機構集邦諮詢（TrendForce）提供的數據，以今年第一季度為準，台積電
（TSMC）的全球市場份額以53.6%位居第一，三星電子以16.3%位居第2。

據悉，台積電計劃下半年起量產3奈米（nm）晶片，再將GAA技術應用於其2奈米工藝。

韓國媒體報導，中國大陸 挖礦機晶片設計業者 -  上海磐矽半導體（PanSemi）是三星
3奈米製程的客戶，此外，美國晶片廠高通（Qualcomm）也已下訂三星3奈米產能，
但將視情況投片。

有經濟專家分析，三星電子採用市場現有方案，不是做不到3奈米GAA技術量產，關鍵是
成本會增加、交期會拉長、良率提升速度慢、品質不見得好。在成本模型難以建立的情況下，
三星電子難以對客戶報價，三星仍未實際接獲3奈米訂單，今天宣布量產3奈米製程，
宣傳意義應大於實質意義。

專家認為，三星電子向來慣用低價策略吸引客戶，報價便宜或許可能爭取中國大陸  上海
磐矽半導體（PanSemi）訂單，不過散熱問題是三星的痛點，高通（Qualcomm）訂單就
因此回流台積電；三星3奈米GAA製程能否解決漏電、散熱問題有待觀察。

Monfortino

全力追趕。